AP25N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25N04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP25N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25N04D даташит

 ..1. Size:1494K  cn apm
 ap25n04d.pdf pdf_icon

AP25N04D

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS D R

 7.1. Size:1696K  cn apm
 ap25n04s.pdf pdf_icon

AP25N04D

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS D R

 8.1. Size:1968K  allpower
 ap25n06k.pdf pdf_icon

AP25N04D

 8.2. Size:725K  allpower
 ap25n06q.pdf pdf_icon

AP25N04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20P03DF, AP20P04D, AP220N08TLG1, AP220N10MP, AP2222D, AP25G02NF, AP25G03GD, AP25G04GD, IRFP460, AP25N04S, AP4406A, AP4406B, AP4407A, AP4407B, AP4409A, AP4435A, AP4435B