AP5N40D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5N40D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5N40D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N40D даташит

 ..1. Size:1385K  cn apm
 ap5n40d.pdf pdf_icon

AP5N40D

AP5N40D 400V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N40D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

Другие IGBT... AP4409A, AP4435A, AP4435B, AP45P06D, AP45P06NF, AP4606C, AP4953A, AP4953B, 2N7000, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, ATM7414NDH, ATM7N65ATE, ATM8205DNPD