ATM3407PSA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM3407PSA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATM3407PSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM3407PSA даташит

 ..1. Size:1075K  agertech
 atm3407psa.pdf pdf_icon

ATM3407PSA

ATM3407PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Feature Description V (V) = -30V DS The ATM3407PSA uses advanced trench technology I = -3.7 A (V =-10V) D GS to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) R

 8.1. Size:961K  agertech
 atm3400ansa.pdf pdf_icon

ATM3407PSA

ATM3400ANSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A FEATURES SOT-23 Trench FET Power MOSFET R

 8.2. Size:1388K  agertech
 atm3401psa.pdf pdf_icon

ATM3407PSA

ATM3401PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A Features Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance and maximum DC current capability R

 8.3. Size:569K  agertech
 atm3404nsa.pdf pdf_icon

ATM3407PSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP45P06D, AP45P06NF, AP4606C, AP4953A, AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, 7N65, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, ATM7414NDH, ATM7N65ATE, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D