ATM6402NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ATM6402NSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ATM6402NSA
ATM6402NSA Datasheet (PDF)
atm6402nsa.pdf
ATM6402NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description Feature The ATM6402NSA uses advanced trench technology V (V) = 30V DS to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) I = 6.1A (V = 10V) D GS operation with gate voltages as low as 4.5V. This R
Другие MOSFET... AP4606C , AP4953A , AP4953B , AP5N40D , AP5N50BD , AP5N50D , ATM3407PSA , ATM3415KPSA , IRF630 , ATM7414NDH , ATM7N65ATE , ATM8205DNPD , ATM8205DNSG , ATM9435PPA , AP60P03D , AP65N03DF , AP65N04DF .
History: JCS8N60B | MTM98240 | UF740 | AP05N50EH
History: JCS8N60B | MTM98240 | UF740 | AP05N50EH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet


