ATM6402NSA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM6402NSA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATM6402NSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM6402NSA даташит

 ..1. Size:813K  agertech
 atm6402nsa.pdf pdf_icon

ATM6402NSA

ATM6402NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description Feature The ATM6402NSA uses advanced trench technology V (V) = 30V DS to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) I = 6.1A (V = 10V) D GS operation with gate voltages as low as 4.5V. This R

Другие IGBT... AP4606C, AP4953A, AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, IRF630, ATM7414NDH, ATM7N65ATE, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF