ATM7414NDH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM7414NDH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATM7414NDH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM7414NDH даташит

 ..1. Size:778K  agertech
 atm7414ndh.pdf pdf_icon

ATM7414NDH

ATM7414NDH N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 18A Description excellent The ATM7414NDH uses advanced trench technology to provide RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V.This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product ATM7414NDH is Pb-free. Features V

 9.1. Size:702K  agertech
 atm7430ndh.pdf pdf_icon

ATM7414NDH

ATM7430NDH N-Channel Fast Switching MOSFET Drain-Source Voltage 30V Continuous Drain Current 10.5A Description DFN3030 This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized Small form fa

Другие IGBT... AP4953A, AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, IRF9540, ATM7N65ATE, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF, AP65N06NF