AP68N04DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP68N04DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP68N04DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP68N04DF даташит

 ..1. Size:1378K  cn apm
 ap68n04df.pdf pdf_icon

AP68N04DF

AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R

 7.1. Size:1359K  cn apm
 ap68n04nf.pdf pdf_icon

AP68N04DF

AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R

 8.1. Size:1612K  1
 ap68n06g.pdf pdf_icon

AP68N04DF

 8.2. Size:1612K  allpower
 ap68n06g.pdf pdf_icon

AP68N04DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ATM7N65ATE, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF, AP65N06NF, K3569, AP68N04NF, AP6946A, AP6G03LI, AP260N12TLG1, AP30N10Y, AP30N15D, AP30N20P, AP30P01DF