AP40P04D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP40P04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40P04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AP40P04D

 

AP40P04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1441K  cn apm
 ap40p04d.pdf pdf_icon

AP40P04D

AP40P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 0.1. Size:1350K  cn apm
 ap40p04df.pdf pdf_icon

AP40P04D

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04D

 7.2. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP30P02DF , AP30P03D , AP40N02D , AP40N03S , AP40N10P , AP40N20MP , AP40P02D , AP40P03DF , STP80NF70 , AP40P04DF , AP40P04NF , AP5P04MI , AP5P06MSI , AP60N02D , AP60N02DF , AP60N02NF , AP60N03D .

 

 
Back to Top

 


 
.