AP40P04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP40P04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP40P04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40P04D даташит

 ..1. Size:1441K  cn apm
 ap40p04d.pdf pdf_icon

AP40P04D

AP40P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 0.1. Size:1350K  cn apm
 ap40p04df.pdf pdf_icon

AP40P04D

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04D

 7.2. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP30P02DF, AP30P03D, AP40N02D, AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, STP80NF70, AP40P04DF, AP40P04NF, AP5P04MI, AP5P06MSI, AP60N02D, AP60N02DF, AP60N02NF, AP60N03D