AP5P04MI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5P04MI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5P04MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5P04MI даташит

 ..1. Size:1491K  cn apm
 ap5p04mi.pdf pdf_icon

AP5P04MI

AP5P04MI -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-5.0A DS D R

 9.1. Size:1402K  cn apm
 ap5p06msi.pdf pdf_icon

AP5P04MI

AP5P06MSI -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P06MSI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-5A DS D R

Другие IGBT... AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, AP40P04D, AP40P04DF, AP40P04NF, AO4407, AP5P06MSI, AP60N02D, AP60N02DF, AP60N02NF, AP60N03D, AP60N03DF, AP60N03NF, AP60N03Y