AP5P04MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5P04MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5P04MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP5P04MI

 

AP5P04MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  cn apm
 ap5p04mi.pdf pdf_icon

AP5P04MI

AP5P04MI -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-5.0A DS D R

 9.1. Size:1402K  cn apm
 ap5p06msi.pdf pdf_icon

AP5P04MI

AP5P06MSI -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P06MSI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-5A DS D R

Другие MOSFET... AP40N03S , AP40N10P , AP40N20MP , AP40P02D , AP40P03DF , AP40P04D , AP40P04DF , AP40P04NF , AO4407 , AP5P06MSI , AP60N02D , AP60N02DF , AP60N02NF , AP60N03D , AP60N03DF , AP60N03NF , AP60N03Y .

 

 
Back to Top

 


 
.