Справочник MOSFET. BSN20

 

BSN20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSN20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BSN20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSN20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  philips
bsn20.pdfpdf_icon

BSN20

BSN20N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 26 June 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSN20 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3. A

 ..2. Size:178K  diodes
bsn20.pdfpdf_icon

BSN20

BSN20N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance 1.8 @ VGS = 10V 500mA Fast Switching Speed 50V 2.0 @ VGS = 4.5V 450mA Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green

 ..3. Size:1311K  kexin
bsn20.pdfpdf_icon

BSN20

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETBSN20SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features Features3TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible1 2Subminiature surface mount package. +0.1d +0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Gateg2.Source3.Drains Absolute Maximum Ratings Ta = 25ParameterSymbol

 ..4. Size:1580K  slkor
bsn20.pdfpdf_icon

BSN20

BSN20N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 50VDS I 300mAD R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input / Output LeakageApplications

Другие MOSFET... STU442S , 2N7002E , STU441S , STU446S , 2N7002VAC , 2N7002VC , STU438S , BS870 , IRFP460 , BSS138DW , STU438A , DMB53D0UDW , DMB53D0UV , DMB54D0UDW , DMB54D0UV , DMG1026UV , DMN4009LK3 .

History: TPD80R900M | SIHFI9520G | DAC016N120Z2 | DMN53D0LDW | GP2M020A050N | NCEAP016N60VD | BL3N100-U

 

 
Back to Top

 


 
.