Аналоги AGM01T08LL. Основные параметры
Наименование производителя: AGM01T08LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 385 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2212 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для AGM01T08LL
AGM01T08LL даташит
agm01t08ll.pdf
AGM01T08LL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 85 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =80V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,
agm01p15e.pdf
AGM01P15E Typical Electrical And Thermal Characteristics (Curves) Figure 7. Gate Charge Waveforms Figure 8. Capacitance Figure 9. Body-Diode Characteristics Figure 10. Maximum Safe Operating Area www.agm-mos.com 4 VER2.55 AGM01P15E SOT23-3 Marking Instructions www.agm-mos.com 6 VER2.55 AGM01P15E Disclaimer The information provided in this document is believed to be accurat
agm01p15d.pdf
AGM01P15D Test Circuit 1) EAS Test Circuit 2) Gate Charge Test Circuit 3) Switch Time Test Circuit www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM01P15D Dimensions TO-252 D1 c MILLIMETER SYMBOL MIN Typ. MAX A 2.200 2.300 2.400 A1 0.000 0.127 h b 0.640 0.690 0.740 c( 0.460 0.520 0.580 D 6.500 6.600 6.700 D1 5.334 REF D2 4.826 REF D2 D3 3.166 REF E 6.000 6.100 6.
agm01p15ap.pdf
AGM01P15AP Test Circuit 1) EAS Test Circuit 2) Gate Charge Test Circuit 3) Switch Time Test Circuit www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM01P15AP PDFN3.3*3.3 Marking Instructions www.agm-mos.com 7 VER2.71 AGM01P15AP Disclaimer The information provided in this document is believed to be accurate and reliable. However,Shenzhen Core Control Source Electronics Technology Co., Ltd.
Другие MOSFET... AGM30P55A , AGM30P55D , AGM30P55D1 , AGM30P85D , AGM015N10LL , AGM01P15AP , AGM01P15D , AGM01P15E , IRF840 , AGM025N08H , AGM025N10C , AGM025N13LL , AGM028N08A , AGM035N10A , AGM035N10C , AGM035N10H , AGM038N10A .
History: AGM042N10A | R9521
History: AGM042N10A | R9521
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent






