AGM1099D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM1099D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM1099D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM1099D даташит

 ..1. Size:1466K  cn agmsemi
 agm1099d.pdf pdf_icon

AGM1099D

AGM1099D Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance I =f(V ) R =f(I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Drain-source on-state resistance I =f(V ) R =f(T );I =6A; V =10V D GS DS(on) j D GS www.agm-mos.com 3 VER2.73 AGM1099D Gate Threshold Voltage Drain-source breakdown voltage V =f(T ); I =250uA V =f(T ); I =250uA TH j D BR

 7.1. Size:1646K  cn agmsemi
 agm1099e.pdf pdf_icon

AGM1099D

AGM1099E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 100 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =100V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 7.2. Size:1291K  cn agmsemi
 agm1099ey.pdf pdf_icon

AGM1099D

AGM1099EY General Description Product Summary The AGM1099EY combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 100V 92m 5.0A Features Advance high cell density Trench technology SOT89-3 Pin Configuration Low R to mi

 7.3. Size:1137K  cn agmsemi
 agm1099el.pdf pdf_icon

AGM1099D

AGM1099EL General Description Product Summary The AGM1099EL combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 100V 100m 5.0A Features Advance high cell density Trench technology SOT-23 Pin Configuration Low R to mi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM1075D, AGM1075-G, AGM1075MBP, AGM1075MN, AGM1075MNA, AGM1075S, AGM1095MAP, AGM1095MN, IRF9540, AGM1099E, AGM1099EY, AGM1099S, AGM10N15D, AGM042N10D, AGM056N08C, AGM056N10A, AGM056N10C