AGM12T08A - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM12T08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM12T08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM12T08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM12T08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1921K  cn agmsemi
 agm12t08a.pdf pdf_icon

AGM12T08A

AGM12T08AFig 1. Typical Output Characteristics Figure 2. On-Resistance vs. Gate-Source Voltage208010V 6VID=20A4.5V4V1560125C10403.5V25C520Vgs=3V002 4 6 8 100 0.5 1 1.5 2VGS (V)VDS (V)Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Junction Temperature152.2ID=20A2121.8 VGS=10VVGS

 6.1. Size:1911K  cn agmsemi
 agm12t08c.pdf pdf_icon

AGM12T08A

AGM12T08C General DescriptionProduct SummaryThe AGM12T08C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provide extremely low R .DS(ON)device is idealThis for load switch and batteryBVDSS RDSON IDprotection applications.120V 6.7m 78A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin ConfigurationLow R to min

 7.1. Size:1313K  cn agmsemi
 agm12t05f.pdf pdf_icon

AGM12T08A

AGM12T05F General DescriptionThe AGM12T05F combines advanced trenchProduct SummaryMOSFET technology with a low resistance packagetoprovide extremely low R .DS(ON)This device is idealfor load switch and batteryBVDSS RDSON IDprotection applications. Features120V 5.5m 100AAdvance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive loss TO-22

 7.2. Size:1594K  cn agmsemi
 agm12t05c.pdf pdf_icon

AGM12T08A

AGM12T05C General DescriptionProduct SummaryThe AGM12T05C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packagetoprovide extremely low R .DS(ON)This device is idealfor load switch and batteryBVDSS RDSON IDprotection applications.120V 5.5m 100A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin Configuration Low R to mini

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM12N10A , AGM12N10AP , AGM12N10D , AGM12N10MNA , AGM12T02LL , AGM12T05A , AGM12T05C , AGM12T05F , 18N50 , AGM12T12A , AGM12T12C , AGM12T12D , AGM13T05A , , , , .

History: AGM12T05F

 

 
Back to Top

 


 
.