AGM15T06C-B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM15T06C-B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 140 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM15T06C-B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM15T06C-B даташит

 ..1. Size:2043K  cn agmsemi
 agm15t06c-b.pdf pdf_icon

AGM15T06C-B

AGM15T06C-B Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 140 147 -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =140V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Volt

 5.1. Size:1496K  cn agmsemi
 agm15t06c.pdf pdf_icon

AGM15T06C-B

AGM15T06C General Description Product Summary The AGM15T06C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON ID for load protection applications. 150V 6.5m 140A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to mi

 6.1. Size:1457K  cn agmsemi
 agm15t06h.pdf pdf_icon

AGM15T06C-B

AGM15T06H Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 6.2. Size:1401K  cn agmsemi
 agm15t06ll.pdf pdf_icon

AGM15T06C-B

AGM15T06LL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM12T05F, AGM12T08A, AGM12T12A, AGM12T12C, AGM12T12D, AGM13T05A, AGM15T05LL, AGM15T06C, 10N65, AGM15T06H, AGM15T06LL, AGM15T06T, AGM15T13A, AGM15T13C, AGM15T13D, AGM15T13F, AGM15T13H