AGM15T13H - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM15T13H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM15T13H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AGM15T13H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM15T13H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1020K  cn agmsemi
agm15t13h.pdfpdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13HTable3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 150 -- VGS DDSS--Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 ADS GSI --DSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100V Gate Threshold Voltage V =V

 6.1. Size:1224K  cn agmsemi
agm15t13a.pdfpdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13ATypical Electrical and Thermal Characteristics150 150VGS = 10VVDS = 5.0V8.0VVGS = 6.0V7.0V120 120VGS = 5.5V9090TJ = 175CVGS = 5.0V6060VGS = 4.8VTJ = 25C3030VGS = 4.5V000 2 4 6 8 100 1 2 3 4 5VGS - Gate-to-Source Voltage (V)VDS - Drain-to-Source Voltage (V)Figure 2: Transfer CharacteristicsFigure 1: Output Characteristics 5

 6.2. Size:1035K  cn agmsemi
agm15t13d.pdfpdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13DTable3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 150 -- VGS DDSS--Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 ADS GSI --DSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100V Gate Threshold Voltage V =V

 6.3. Size:1031K  cn agmsemi
agm15t13f.pdfpdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13FTable3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 150 -- VGS DDSS--Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 ADS GSI --DSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100V Gate Threshold Voltage V =V

Другие MOSFET... AGM15T06C-B , AGM15T06H , AGM15T06LL , AGM15T06T , AGM15T13A , AGM15T13C , AGM15T13D , AGM15T13F , IRF530 , AGM15T16C , AGM15T16D , AGM16N10C , AGM16N10D , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.