AGM15T13H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM15T13H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM15T13H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM15T13H даташит

 ..1. Size:1020K  cn agmsemi
 agm15t13h.pdf pdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13H Table3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- V GS D DSS -- Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 A DS GS I -- DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage V =V

 6.1. Size:1224K  cn agmsemi
 agm15t13a.pdf pdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13A Typical Electrical and Thermal Characteristics 150 150 VGS = 10V VDS = 5.0V 8.0V VGS = 6.0V 7.0V 120 120 VGS = 5.5V 90 90 TJ = 175 C VGS = 5.0V 60 60 VGS = 4.8V TJ = 25 C 30 30 VGS = 4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Figure 2 Transfer Characteristics Figure 1 Output Characteristics 5

 6.2. Size:1035K  cn agmsemi
 agm15t13d.pdf pdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13D Table3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- V GS D DSS -- Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 A DS GS I -- DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage V =V

 6.3. Size:1031K  cn agmsemi
 agm15t13f.pdf pdf_icon

AGM15T13H

AGM15T13F Table3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- V GS D DSS -- Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 A DS GS I -- DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage V =V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM15T06C-B, AGM15T06H, AGM15T06LL, AGM15T06T, AGM15T13A, AGM15T13C, AGM15T13D, AGM15T13F, IRF1405, AGM15T16C, AGM15T16D, AGM16N10C, AGM16N10D, AGM302C1, AGM302D1, AGM303A, AGM303AP