Аналоги AGM15T16D. Основные параметры
Наименование производителя: AGM15T16D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AGM15T16D
AGM15T16D даташит
agm15t16d.pdf
AGM15T16D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 150 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage
agm15t16c.pdf
AGM15T16C Typical Electrical & Thermal Characteristics 100 30 VGS = 10V VDS = 5.0V VGS = 6.0V VGS = 8.0V 80 24 TJ = 125 C 60 18 VGS = 5.5V 40 12 TJ = 25 C VGS = 5.0V 20 6 VGS = 4.5V 0 0 0 1 2 3 4 5 2 3 4 5 6 7 VDS (V) VGS (V) Figure 1 Saturation Characteristics Figure 2 Transfer Characteristics 17 2.5 VGS = 10V ID = 20A 16 2 15 1.5 VGS = 10V 14 1 13 0.5 12 0 0
agm15t13a.pdf
AGM15T13A Typical Electrical and Thermal Characteristics 150 150 VGS = 10V VDS = 5.0V 8.0V VGS = 6.0V 7.0V 120 120 VGS = 5.5V 90 90 TJ = 175 C VGS = 5.0V 60 60 VGS = 4.8V TJ = 25 C 30 30 VGS = 4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Figure 2 Transfer Characteristics Figure 1 Output Characteristics 5
agm15t13h.pdf
AGM15T13H Table3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- V GS D DSS -- Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 A DS GS I -- DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage V =V
Другие MOSFET... AGM15T06LL , AGM15T06T , AGM15T13A , AGM15T13C , AGM15T13D , AGM15T13F , AGM15T13H , AGM15T16C , IRF2807 , AGM16N10C , AGM16N10D , AGM302C1 , AGM302D1 , AGM303A , AGM303AP , AGM303D , AGM303D1 .
History: AGM1075MNA | JMPC4N60BJ | JMSL1018PGQ
History: AGM1075MNA | JMPC4N60BJ | JMSL1018PGQ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet








