AGM15T16D - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM15T16D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM15T16D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGM15T16D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM15T16D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  cn agmsemi
agm15t16d.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T16DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter ConditionsMin Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250AGS D150 -- -- VZero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage

 6.1. Size:1270K  cn agmsemi
agm15t16c.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T16CTypical Electrical & Thermal Characteristics100 30VGS = 10VVDS = 5.0VVGS = 6.0VVGS = 8.0V80 24TJ = 125C60 18VGS = 5.5V40 12TJ = 25CVGS = 5.0V20 6VGS = 4.5V0 00 1 2 3 4 5 2 3 4 5 6 7VDS (V) VGS (V)Figure 1: Saturation Characteristics Figure 2: Transfer Characteristics17 2.5VGS = 10VID = 20A16 215 1.5VGS = 10V14 113 0.512 00

 7.1. Size:1224K  cn agmsemi
agm15t13a.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T13ATypical Electrical and Thermal Characteristics150 150VGS = 10VVDS = 5.0V8.0VVGS = 6.0V7.0V120 120VGS = 5.5V9090TJ = 175CVGS = 5.0V6060VGS = 4.8VTJ = 25C3030VGS = 4.5V000 2 4 6 8 100 1 2 3 4 5VGS - Gate-to-Source Voltage (V)VDS - Drain-to-Source Voltage (V)Figure 2: Transfer CharacteristicsFigure 1: Output Characteristics 5

 7.2. Size:1020K  cn agmsemi
agm15t13h.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T13HTable3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 150 -- VGS DDSS--Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 ADS GSI --DSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100V Gate Threshold Voltage V =V

Другие MOSFET... AGM15T06LL , AGM15T06T , AGM15T13A , AGM15T13C , AGM15T13D , AGM15T13F , AGM15T13H , AGM15T16C , NCEP15T14 , AGM16N10C , AGM16N10D , , , , , , .

History: AGM15T13D

 

 
Back to Top

 


 
.