AGM15T16D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AGM15T16D. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM15T16D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGM15T16D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM15T16D даташит

 ..1. Size:924K  cn agmsemi
agm15t16d.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T16D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 150 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 6.1. Size:1270K  cn agmsemi
agm15t16c.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T16C Typical Electrical & Thermal Characteristics 100 30 VGS = 10V VDS = 5.0V VGS = 6.0V VGS = 8.0V 80 24 TJ = 125 C 60 18 VGS = 5.5V 40 12 TJ = 25 C VGS = 5.0V 20 6 VGS = 4.5V 0 0 0 1 2 3 4 5 2 3 4 5 6 7 VDS (V) VGS (V) Figure 1 Saturation Characteristics Figure 2 Transfer Characteristics 17 2.5 VGS = 10V ID = 20A 16 2 15 1.5 VGS = 10V 14 1 13 0.5 12 0 0

 7.1. Size:1224K  cn agmsemi
agm15t13a.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T13A Typical Electrical and Thermal Characteristics 150 150 VGS = 10V VDS = 5.0V 8.0V VGS = 6.0V 7.0V 120 120 VGS = 5.5V 90 90 TJ = 175 C VGS = 5.0V 60 60 VGS = 4.8V TJ = 25 C 30 30 VGS = 4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Figure 2 Transfer Characteristics Figure 1 Output Characteristics 5

 7.2. Size:1020K  cn agmsemi
agm15t13h.pdfpdf_icon

AGM15T16D

AGM15T13H Table3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 150 -- V GS D DSS -- Zero Gate Voltage Drain Current V =150V,V =0V -- 1 A DS GS I -- DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 V Gate Threshold Voltage V =V

Другие MOSFET... AGM15T06LL , AGM15T06T , AGM15T13A , AGM15T13C , AGM15T13D , AGM15T13F , AGM15T13H , AGM15T16C , IRF2807 , AGM16N10C , AGM16N10D , AGM302C1 , AGM302D1 , AGM303A , AGM303AP , AGM303D , AGM303D1 .

History: KMA4D5P20XA | HUFA75307D3S

 

 
Back to Top

 


 
.