Справочник MOSFET. DMN4015LK3

 

DMN4015LK3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN4015LK3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2072 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN4015LK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  diodes
dmn4015lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN4015LK340V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 15m @ VGS= 10V 20.8A 40V 20m @ VGS= 4.5V 18.0A Mech

 8.1. Size:287K  diodes
dmn4010lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

DMN4010LK3Green40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25C Low Input Capacitance Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 11.5m @ VGS = 10V 39A 40V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 14.5m @ VGS = 4.5V 35A Qualified to AEC-Q101 Standards for Hi

 8.2. Size:220K  diodes
dmn4010lfg.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

DMN4010LFG 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Small, form factor, thermally efficient package enables higher density end products 12m @ VGS = 10V 11.5A 40V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling

 8.3. Size:266K  inchange semiconductor
dmn4010lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN4010LK3FEATURESDrain Current I = 39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... BSS138DW , STU438A , DMB53D0UDW , DMB53D0UV , DMB54D0UDW , DMB54D0UV , DMG1026UV , DMN4009LK3 , IRFB4227 , DMN4027SSD , DMN4027SSS , DMN4030LK3 , DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.