DMN4015LK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN4015LK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2072 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для DMN4015LK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN4015LK3 даташит

 ..1. Size:664K  diodes
dmn4015lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

A Product Line of Diodes Incorporated DMN4015LK3 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 15m @ VGS= 10V 20.8A 40V 20m @ VGS= 4.5V 18.0A Mech

 8.1. Size:287K  diodes
dmn4010lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

DMN4010LK3 Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25 C Low Input Capacitance Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 11.5m @ VGS = 10V 39A 40V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 14.5m @ VGS = 4.5V 35A Qualified to AEC-Q101 Standards for Hi

 8.2. Size:220K  diodes
dmn4010lfg.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

DMN4010LFG 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Small, form factor, thermally efficient package enables higher density end products 12m @ VGS = 10V 11.5A 40V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling

 8.3. Size:266K  inchange semiconductor
dmn4010lk3.pdfpdf_icon

DMN4015LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN4010LK3 FEATURES Drain Current I = 39A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Другие IGBT... BSS138DW, STU438A, DMB53D0UDW, DMB53D0UV, DMB54D0UDW, DMB54D0UV, DMG1026UV, DMN4009LK3, 10N60, DMN4027SSD, DMN4027SSS, DMN4030LK3, DMN4031SSD, DMN4034SSD, DMN4034SSS, DMN4036LK3, DMN4040SK3