DMN4015LK3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN4015LK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.8 A
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Выходная емкость (Cd): 2072 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
Аналог (замена) для DMN4015LK3
DMN4015LK3 Datasheet (PDF)
dmn4015lk3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN4015LK340V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 15m @ VGS= 10V 20.8A 40V 20m @ VGS= 4.5V 18.0A Mech
dmn4010lk3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN4010LK3Green40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25C Low Input Capacitance Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 11.5m @ VGS = 10V 39A 40V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 14.5m @ VGS = 4.5V 35A Qualified to AEC-Q101 Standards for Hi
dmn4010lfg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN4010LFG 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Small, form factor, thermally efficient package enables higher density end products 12m @ VGS = 10V 11.5A 40V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling
dmn4010lk3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor DMN4010LK3FEATURESDrain Current I = 39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .