AGM206A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM206A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM206A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM206A даташит

 ..1. Size:1256K  cn agmsemi
 agm206a.pdf pdf_icon

AGM206A

AGM206A Figure 7. Gate Charge Waveforms Figure 8. Capacitance Figure 9. Body-Diode Characteristics Figure 10. Maximum Safe Operating Area www.agm-mos.com 4 VER2.65 AGM206A Test Circuit 1) EAS Test Circuits 2) Gate Charge Test Circuit 3) Switch Time Test Circuit www.agm-mos.com 5 VER2.65 AGM206A PDFN5*6 Marking Instructions Model1 Model2 www.agm-mos.com 7 VER2.65

 0.1. Size:1316K  cn agmsemi
 agm206ap.pdf pdf_icon

AGM206A

AGM206AP TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves) Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics VDS Drain-to-Source Voltage(V) VGS Gate-to-Source Voltage(V) Figure 3. Max BVDSS vs Junction Temperature Figure 4. Drain Current TJ-Junction Temperature( ) TJ-Junction Temperature( ) Figure 5. VGS(th) vs Junction Temperature Figure 6. RDS(ON) vs

 8.1. Size:1061K  cn agmsemi
 agm206map.pdf pdf_icon

AGM206A

AGM206MAP General Description The AGM206MAP combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package Product Summary to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal for load switch and battery protection applications. BVDSS RDSON ID Features 25A 20V 6m Advance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive loss DS(ON)

 8.2. Size:747K  cn agmsemi
 agm206mdp.pdf pdf_icon

AGM206A

AGM206MDP General Description Product Summary The AGM206MDP combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal BVDSS RDSON ID for load switch and battery protection applications. 20V 4.5m 60A Features Advance high cell density Trench technology DFN3*3 Pin Configuration Low R to minim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM304D, AGM304MNQ, AGM304S, AGM18N20D, AGM18N20H, AGM204A, AGM204AP, AGM205D, 75N75, AGM206AP, AGM206D, AGM206MAP, AGM206MDP, AGM208D, AGM20N65F, AGM20P07EL, AGM20P16AS