AGM3400E - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM3400E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM3400E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AGM3400E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM3400E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1800K  cn agmsemi
 agm3400e.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3400E Typical Performance Characteristics Figure1. Output Characteristics Figure2. Transfer Characteristics Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature and Gate Voltage Figure5. Capacitance Characteristics Figure6. Gate Charge www.agm-mos.com 3 VER2.71AGM3400EFigure7. Safe Operation Area Figure8. Maximum Continuous Drain

 0.1. Size:1777K  cn agmsemi
 agm3400el.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3400ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =12V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.1. Size:1838K  cn agmsemi
 agm3404e.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3404ETable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.2. Size:1748K  cn agmsemi
 agm3404el.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3404ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM315MBP , AGM315MN , AGM318D , AGM318MAP , AGM318MBP , AGM318MN , AGM320M , AGM325ME , AON7506 , , , , , , , , .

History: AGM318MBP | AGM318MAP

 

 
Back to Top

 


 
.