AGM3400E - описание и поиск аналогов

 

AGM3400E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM3400E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AGM3400E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM3400E даташит

 ..1. Size:1800K  cn agmsemi
 agm3400e.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3400E Typical Performance Characteristics Figure1. Output Characteristics Figure2. Transfer Characteristics Figure 3 On-Resistance vs. Drain Current Figure 4 On-Resistance vs. Junction Temperature and Gate Voltage Figure5. Capacitance Characteristics Figure6. Gate Charge www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM3400E Figure7. Safe Operation Area Figure8. Maximum Continuous Drain

 0.1. Size:1777K  cn agmsemi
 agm3400el.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3400EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 12V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.1. Size:1838K  cn agmsemi
 agm3404e.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3404E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.2. Size:1748K  cn agmsemi
 agm3404el.pdf pdf_icon

AGM3400E

AGM3404EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM315MBP, AGM315MN, AGM318D, AGM318MAP, AGM318MBP, AGM318MN, AGM320M, AGM325ME, AON6380, AGM15N10D-G, AGM15P13AS, AGM15P13E, AGM15P16AS, AGM15P22AS, AGM15P30AS, AGM15P30E, AGM15T03LL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.