AGM30P20AP - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AGM30P20AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
Аналог (замена) для AGM30P20AP
AGM30P20AP технические параметры
agm30p20ap.pdf
AGM30P20AP Characteristics Curve www.agm-mos.com 3 VER2.68 AGM30P20AP Figure7 Safe Operation Area Figure8 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance www.agm-mos.com 4 VER2.68 AGM30P20AP Dimensions PDFN3.3*3.3 MILLIMETER D SYMBOL MIN Typ. MAX A 0.700 0.800 0.900 b A1 0.152REF. A2 0 0.05 D 3.000 3.100 3.200 D1 2.300 2.450 2.600 D1 E 2.900 3.000 3.100 E1 3.1
agm30p20m.pdf
AGM30P20M Characteristics Curve Typ. output characteristics Typ. drain-source on resistance -I =f(-V ) R =f(-I ) D DS DS(on) D Typ. transfer characteristics Drain-source on-state resistance -I =f(-V ) R = f(T ); I =-8A; V =-10V D GS DS(on) j D GS www.agm-mos.com 3 VER2.7 AGM30P20M Gate Threshold Voltage Drain-source breakdown voltage -V =f(T ); I =-250uA -V =f(T ); I =-2
agm30p20d.pdf
AGM30P20D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250 A -30 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =-30V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- 100 nA GS DS I GSS VGS(th) Gate Threshold Voltage
agm30p20s.pdf
AGM30P20S General Description Product Summary The AGM30P20S combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. -30V 15.5m -11A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration Low R to minimize co
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
