Справочник MOSFET. DMN5L06DWK

 

DMN5L06DWK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN5L06DWK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.305 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN5L06DWK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  diodes
dmn5l06dwk.pdfpdf_icon

DMN5L06DWK

DMN5L06DWKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance (1.0V max) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capac

 5.1. Size:243K  diodes
dmn5l06dw.pdfpdf_icon

DMN5L06DWK

DMN5L06DWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter

 6.1. Size:270K  diodes
dmn5l06dmk.pdfpdf_icon

DMN5L06DWK

DMN5L06DMKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capaci

 6.2. Size:575K  diodes
dmn5l06dmkq.pdfpdf_icon

DMN5L06DWK

DMN5L06DMKQ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 2.0 @ VGS = 5V 305mA Fast Switching Speed 50V 2.5 @ VGS = 2.5V 280mA Low Input/Output Leakage 3.0 @ VGS = 1.8V 265mA ESD Protected up to

Другие MOSFET... DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 , DMN5010VAK , DMN55D0UT , DMN5L06DMK , IRF1010E , DMN5L06K , DMN5L06TK , DMN5L06VAK , DMN5L06VK , DMN5L06WK , DMN601DMK , DMN601DWK , DMN601K .

History: WMM03N80M3 | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | WFF8N60B | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.