DMN5L06DWK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN5L06DWK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.305 A
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для DMN5L06DWK
DMN5L06DWK Datasheet (PDF)
dmn5l06dwk.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN5L06DWKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance (1.0V max) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capac
dmn5l06dw.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN5L06DWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter
dmn5l06dmk.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN5L06DMKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capaci
dmn5l06dmkq.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN5L06DMKQ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 2.0 @ VGS = 5V 305mA Fast Switching Speed 50V 2.5 @ VGS = 2.5V 280mA Low Input/Output Leakage 3.0 @ VGS = 1.8V 265mA ESD Protected up to
Другие MOSFET... DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 , DMN5010VAK , DMN55D0UT , DMN5L06DMK , TK10A60D , DMN5L06K , DMN5L06TK , DMN5L06VAK , DMN5L06VK , DMN5L06WK , DMN601DMK , DMN601DWK , DMN601K .