AGM308MAR - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM308MAR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM308MAR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM308MAR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM308MAR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1485K  cn agmsemi
 agm308mar.pdf pdf_icon

AGM308MAR

AGM308MARTable 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25unless otherwisenoted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DS100IGSSVGS(th) Gate Threshold V

 6.1. Size:1694K  cn agmsemi
 agm308ma.pdf pdf_icon

AGM308MAR

AGM308MATable 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25unless otherwisenoted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DS100IGSSVGS(th) Gate Threshold Vo

 7.1. Size:1368K  cn agmsemi
 agm308mn.pdf pdf_icon

AGM308MAR

AGM308MN General DescriptionThe AGM308MN combines advanced trenchProduct SummaryMOSFET technology with a low resistance packageto provide extremely low R .DS(ON)This device is idealfor load switch and batteryprotection applications.BVDSS RDSON ID Features30V 8.8m 15AAdvance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive lossDS(ON)

 7.2. Size:1332K  cn agmsemi
 agm308mbp.pdf pdf_icon

AGM308MAR

AGM308MBPTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V =V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM3015D , AGM3015H , AGM301A1 , AGM301C1 , AGM302A1 , AGM308A , AGM308AP , AGM308MA , 2SK3878 , AGM308MBP , , , , , , , .

History: AGM308AP

 

 
Back to Top

 


 
.