AGMS5N50D - описание и поиск аналогов

 

AGMS5N50D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGMS5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGMS5N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMS5N50D технические параметры

 ..1. Size:1708K  cn agmsemi
 agms5n50d.pdf pdf_icon

AGMS5N50D

AGMS5N50D General Description The AGMS5N50D combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 500V 1.4 5A Features Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to minimiz

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.