AGM3404E - описание и поиск аналогов

 

AGM3404E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM3404E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AGM3404E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM3404E даташит

 ..1. Size:1838K  cn agmsemi
 agm3404e.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3404E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 0.1. Size:1748K  cn agmsemi
 agm3404el.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3404EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.1. Size:1777K  cn agmsemi
 agm3400el.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3400EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 12V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.2. Size:975K  cn agmsemi
 agm3407e.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3407E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250 A -30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =-30V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM30P08A , AGM30P08AP , AGM30P08D , AGM30P100A , AGM30P100D , AGM30P10A , AGM3400EL , AGM3401E , STP80NF70 , AGMH022P10H , AGMH035N10A , AGMH035N10C , AGMH035N10H , AGMH03N85C , AGMH056N08A , AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.