AGM3404E - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM3404E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM3404E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AGM3404E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM3404E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1838K  cn agmsemi
 agm3404e.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3404ETable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 0.1. Size:1748K  cn agmsemi
 agm3404el.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3404ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.1. Size:1777K  cn agmsemi
 agm3400el.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3400ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =12V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 8.2. Size:975K  cn agmsemi
 agm3407e.pdf pdf_icon

AGM3404E

AGM3407ETable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250A -30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =-30V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM30P08A , AGM30P08AP , AGM30P08D , AGM30P100A , AGM30P100D , AGM30P10A , AGM3400EL , AGM3401E , 18N50 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.