AGM85P10D - описание и поиск аналогов

 

AGM85P10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM85P10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.103 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AGM85P10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM85P10D даташит

 ..1. Size:1301K  cn agmsemi
 agm85p10d.pdf pdf_icon

AGM85P10D

AGM85P10D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250 A -100 -121 -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- 100 nA GS DS I GSS VGS(th) Gate Threshold Volt

 6.1. Size:1421K  cn agmsemi
 agm85p10a.pdf pdf_icon

AGM85P10D

AGM85P10A Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250 A -- V GS D -100 -121 Zero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- 100 nA GS DS I GSS VGS(th) Gate Threshold Vol

Другие MOSFET... AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AGM7N65D , AGM85P10A , IRFP064N , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , AGM4025Q , AGM402A , AGM402A1 , AGM402C , AGM402C1 , AGM402D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.