HYG043N10NS2P - описание и поиск аналогов

 

HYG043N10NS2P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG043N10NS2P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2234 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HYG043N10NS2P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG043N10NS2P даташит

 ..1. Size:1404K  1
hyg043n10ns2p hyg043n10ns2b.pdfpdf_icon

HYG043N10NS2P

Microelectronics HYG043N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/164A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested 100% DVDS G D S Reliable and Rugged D S G Halogen Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications Battery Management System Controller Sin

 9.1. Size:1340K  1
hyg045n03la1c1.pdfpdf_icon

HYG043N10NS2P

HYG045N03LA1C1 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/50A RDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) Applications Switching Application Battery Protection Single N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

 9.2. Size:1346K  1
hyg045n03la1c2.pdfpdf_icon

HYG043N10NS2P

HYG045N03LA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/78A D D D D D D D D RDS(ON)= 3.6 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.8 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET O

 9.3. Size:863K  1
hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdfpdf_icon

HYG043N10NS2P

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

Другие MOSFET... AGM614MBP-M1 , AGM614MN , AGM614MNA , AGM615D , AGM615MN , AGM615MNA , FTP16N06A , HCA60R070F , IRF4905 , HYG043N10NS2B , RM150N100HD , SLB40N26C , SLI40N26C , AGM404D , AGM404Q , AGM405A , AGM405AP1 .

History: VS3640DB | ME2306A-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.