RM150N100HD - описание и поиск аналогов

 

RM150N100HD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RM150N100HD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для RM150N100HD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RM150N100HD даташит

 ..1. Size:260K  1
 rm150n100hd.pdf pdf_icon

RM150N100HD

RM150N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The RM150N100HD uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rect

Другие MOSFET... AGM614MNA , AGM615D , AGM615MN , AGM615MNA , FTP16N06A , HCA60R070F , HYG043N10NS2P , HYG043N10NS2B , AO3401 , SLB40N26C , SLI40N26C , AGM404D , AGM404Q , AGM405A , AGM405AP1 , AGM405AP2 , AGM405D .

History: 2N7081-220M-ISO | WSD2050DN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.