AGM404D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AGM404D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AGM404D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AGM404D даташит
agm404d.pdf
AGM404D GM General Description Product Summary The AGM404D combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery 40V 4.5m 82A protection applications. TO-252 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technology Low R to mini
agm404a.pdf
AGM404A Typical Performance Characteristics Figure 2 Typical Transfer Characteristics Figure1 Output Characteristics ID (A) ID (A) 120 120 10V 100 100 4.5V 4V 80 80 60 60 3.5V 40 40 125 25 20 20 VGS=3V VDS(V) VGS(V) 0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 0 2 4 6 8 10 Figure 4 Body Diode Characteristics Figure 3 On-resistance vs. Drain Current IS(A) RDS(ON) (m )
agm404q.pdf
AGM404Q Electrical Characteristics Diagrams 100 50 VGS = 6 V VDS = 5 V 90 VGS = 4.5 V 80 40 VGS = 4 V 70 VGS = 10 V 60 30 VGS = 3.5 V 50 40 20 30 125 25 VGS = 3 V 20 10 10 0 0 0 0.5 1 1.5 2 0 1 2 3 4 5 6 VGS (V) VDS (V) Figure 2 Transfer Characteristics Figure 1 On-Region Characteristics 10 2.1 9 1.9 VGS = 4.5 V VGS = 10 V 8 1.7 ID = 20 A 7 1.5 6 1
agm404ap1.pdf
AGM404AP1 General Description Product Summary The AGM404AP1 combines advanced trench MOSFET to technology with a low resistance package provide extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal load switch and battery protection for 40V 4.4m 46A applications. Features PDFN3.3*3.3 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to
Другие MOSFET... AGM615MNA , FTP16N06A , HCA60R070F , HYG043N10NS2P , HYG043N10NS2B , RM150N100HD , SLB40N26C , SLI40N26C , 4435 , AGM404Q , AGM405A , AGM405AP1 , AGM405AP2 , AGM405D , AGM405DG , AGM405F , AGM405MBP .
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933




