AGM406AP - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM406AP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM406AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AGM406AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM406AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:986K  cn agmsemi
 agm406ap.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406APTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 8.1. Size:1712K  cn agmsemi
 agm406mbq.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406MBQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI 100GSSV Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 8.2. Size:1128K  cn agmsemi
 agm406mnq.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406MNQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 8.3. Size:1267K  cn agmsemi
 agm406q.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406QTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM405AP1 , AGM405AP2 , AGM405D , AGM405DG , AGM405F , AGM405MBP , AGM405MNA , AGM405Q , IRF530 , AGM406MBP , AGM406MBQ , AGM406MNA , AGM406MNQ , , , , .

History: AGM405MNA | AGM405A

 

 
Back to Top

 


 
.