AGM406AP - описание и поиск аналогов

 

AGM406AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM406AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

Аналог (замена) для AGM406AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM406AP даташит

 ..1. Size:986K  cn agmsemi
 agm406ap.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406AP Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 8.1. Size:1712K  cn agmsemi
 agm406mbq.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406MBQ Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I 100 GSS V Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 8.2. Size:1128K  cn agmsemi
 agm406mnq.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406MNQ Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 8.3. Size:1267K  cn agmsemi
 agm406q.pdf pdf_icon

AGM406AP

AGM406Q Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM405AP1 , AGM405AP2 , AGM405D , AGM405DG , AGM405F , AGM405MBP , AGM405MNA , AGM405Q , IRF530 , AGM406MBP , AGM406MBQ , AGM406MNA , AGM406MNQ , AGM60P30A , AGM60P30AP , AGM60P30C , AGM60P30D .

History: AGM405Q | 2SK1239 | 2N65L-TMA-T | 2N6788L | SI2305CDS-T1-GE3 | BRCS70N08IP | STB17N80K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.