AGM605F - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM605F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM605F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AGM605F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM605F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  cn agmsemi
 agm605f.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605F General DescriptionProduct SummaryThe AGM605F combines advanced trenchMOSFETto providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDThis device is ideal for load switch and batteryprotection applications.60V 4.5m80A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220F Pin Configuration Low R to minimize

 8.1. Size:1885K  cn agmsemi
 agm605a.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605A General DescriptionProduct SummaryThe AGM605A combines advanced trenchMOSFET to providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDThis device is ideal for load switch and batteryprotection applications.60V 4.4m80A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyPDFN5*6 Pin Configuration Low R to minimiz

 8.2. Size:1166K  cn agmsemi
 agm605c.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605C General DescriptionProduct SummaryThe AGM605C combines advanced trenchMOSFETto providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDThis device is ideal for load switch and batteryprotection applications.60V 4.5m80A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin Configuration Low R to minimize

 8.3. Size:1208K  cn agmsemi
 agm605q.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605QTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 60 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM602C , AGM6035A , AGM6035F , AGM603C , AGM603D , AGM603F , AGM605A , AGM605C , AON6414A , AGM605Q , AGM606S , AGM6070A , AGM6080C , AGM6080D , AGM608C , , .

History: AGM608C

 

 
Back to Top

 


 
.