AGM605F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM605F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM605F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM605F даташит

 ..1. Size:869K  cn agmsemi
 agm605f.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605F General Description Product Summary The AGM605F combines advanced trenchMOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. 60V 4.5m 80A Features Advance high cell density Trench technology TO-220F Pin Configuration Low R to minimize

 8.1. Size:1885K  cn agmsemi
 agm605a.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605A General Description Product Summary The AGM605A combines advanced trenchMOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. 60V 4.4m 80A Features Advance high cell density Trench technology PDFN5*6 Pin Configuration Low R to minimiz

 8.2. Size:1166K  cn agmsemi
 agm605c.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605C General Description Product Summary The AGM605C combines advanced trenchMOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. 60V 4.5m 80A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to minimize

 8.3. Size:1208K  cn agmsemi
 agm605q.pdf pdf_icon

AGM605F

AGM605Q Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM602C, AGM6035A, AGM6035F, AGM603C, AGM603D, AGM603F, AGM605A, AGM605C, AON6414A, AGM605Q, AGM606S, AGM6070A, AGM6080C, AGM6080D, AGM608C, AGM412D, AGM412MAP