ZXMN4A06K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN4A06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 827 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для ZXMN4A06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06K даташит

 ..1. Size:564K  diodes
 zxmn4a06k.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

 0.1. Size:561K  zetex
 zxmn4a06ktc.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

 6.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 6.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06GQ Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN6068LK3, DMN6068SE, DMN62D1SFB, DMN66D0LDW, DMN66D0LT, DMN66D0LW, ZXM64N035L3, ZXMN4A06G, AON7506, ZXMN6A07F, ZXMN6A07Z, ZXMN6A08E6, ZXMN6A08G, ZXMN6A08K, ZXMN6A09DN8, ZXMN6A09G, ZXMN6A09K