Справочник MOSFET. ZXMN4A06K

 

ZXMN4A06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN4A06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 827 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для ZXMN4A06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  diodes
 zxmn4a06k.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06K40V N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS= -40V; RDS(ON) = 0.05 ; ID = 10.9ADescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.FeaturesD Low on-resistance

 0.1. Size:561K  zetex
 zxmn4a06ktc.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06K40V N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS= -40V; RDS(ON) = 0.05 ; ID = 10.9ADescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications.FeaturesD Low on-resistance

 6.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 6.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06K

ZXMN4A06GQGreen40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN6068LK3 , DMN6068SE , DMN62D1SFB , DMN66D0LDW , DMN66D0LT , DMN66D0LW , ZXM64N035L3 , ZXMN4A06G , IRFP250 , ZXMN6A07F , ZXMN6A07Z , ZXMN6A08E6 , ZXMN6A08G , ZXMN6A08K , ZXMN6A09DN8 , ZXMN6A09G , ZXMN6A09K .

History: 2SJ220L | TW7407FL-Y | AO4294A | FDD6676AS | AM2370N | 2SK4066-DL-1E

 

 
Back to Top

 


 
.