AGM420MAP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM420MAP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM420MAP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM420MAP даташит

 ..1. Size:1387K  cn agmsemi
 agm420map.pdf pdf_icon

AGM420MAP

AGM420MAP Table 3. N- Channel Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwisenoted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS 100 I GSS VGS(th) Gate Threshold V

 6.1. Size:1752K  cn agmsemi
 agm420ma.pdf pdf_icon

AGM420MAP

AGM420MA P-Channel Typical Characteristics Typical Characteristics -VDS,- Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. -VGS(TH) Gate -Source Voltage Vs.Tj -VGS, -Gate -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. Normalized On-Resistance Vs. Tj -VSD, -Source-Drain Voltage

 7.1. Size:1567K  cn agmsemi
 agm420md.pdf pdf_icon

AGM420MAP

AGM420MD P-Channel Typical Characteristics -VDS,- Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. -VGS(TH) Gate -Source Voltage Vs.Tj -VGS, -Gate -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. Normalized On-Resistance Vs. Tj -VSD, -Source-Drain Voltage (V) -VDS, -Drain -Source V

 7.2. Size:1808K  cn agmsemi
 agm420mc.pdf pdf_icon

AGM420MAP

AGM420MC General Description Product Summary The AGM420MC combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . package DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery 40V 18m 7.6A protection applications. -40V 26m -7.5A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM412D, AGM412MAP, AGM412MPA, AGM412S, AGM414MBP, AGM418M, AGM418MBP, AGM420MA, IRLB4132, AGM420MBA, AGM420MC, AGM420MD, AGM425M, AGM425MA, AGM425MC, AGM425MD, AGM425ME