AGM435E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM435E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM435E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM435E даташит

 ..1. Size:1061K  cn agmsemi
 agm435e.pdf pdf_icon

AGM435E

AGM435E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V =

Другие IGBT... AGM420MBA, AGM420MC, AGM420MD, AGM425M, AGM425MA, AGM425MC, AGM425MD, AGM425ME, AON7410, AGM500P20D, AGM502, AGM55N15A, AGM55N15D, AGM55P10A, AGM55P10D, AGM55P10S, AGM6014A