AGM6014A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM6014A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 428 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM6014A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM6014A даташит

 ..1. Size:1254K  cn agmsemi
 agm6014a.pdf pdf_icon

AGM6014A

AGM6014A Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1.0 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,

 0.1. Size:1169K  cn agmsemi
 agm6014ap.pdf pdf_icon

AGM6014A

AGM6014AP General Description The AGM6014AP combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package Product Summary to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery protection applications. BVDSS RDSON ID Features 60V 4.3m 72A Advance high cell density Trench technology Low R to minimize conductive loss DS(ON)

 8.1. Size:1276K  cn agmsemi
 agm6018a.pdf pdf_icon

AGM6014A

AGM6018A Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1.0 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,

 8.2. Size:934K  cn agmsemi
 agm601ll.pdf pdf_icon

AGM6014A

AGM601LL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM435E, AGM500P20D, AGM502, AGM55N15A, AGM55N15D, AGM55P10A, AGM55P10D, AGM55P10S, NCEP15T14, AGM6014AP, AGM6018A, AGM601LL, AP0903G, AP0903GD, AP1002, AP120N03, AP120N04K