AP120N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP120N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP120N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N03 даташит

 ..1. Size:578K  allpower
 ap120n03.pdf pdf_icon

AP120N03

 0.1. Size:1631K  allpower
 ap120n03k.pdf pdf_icon

AP120N03

 0.2. Size:1444K  cn apm
 ap120n03nf.pdf pdf_icon

AP120N03

AP120N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

 0.3. Size:1481K  cn apm
 ap120n03d.pdf pdf_icon

AP120N03

AP120N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM55P10S, AGM6014A, AGM6014AP, AGM6018A, AGM601LL, AP0903G, AP0903GD, AP1002, 4N60, AP120N04K, AP12N10S, AP1310, AP1310K, AP150N03G, AP150N03Q, AP15N10K, AP1605