AP120N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP120N04K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP120N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N04K даташит

 ..1. Size:680K  allpower
 ap120n04k.pdf pdf_icon

AP120N04K

 6.1. Size:1486K  cn apm
 ap120n04d.pdf pdf_icon

AP120N04K

AP120N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.2. Size:1322K  cn apm
 ap120n04p ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04K

AP120N04PIT 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.3. Size:1545K  cn apm
 ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM6014A, AGM6014AP, AGM6018A, AGM601LL, AP0903G, AP0903GD, AP1002, AP120N03, IRFP250, AP12N10S, AP1310, AP1310K, AP150N03G, AP150N03Q, AP15N10K, AP1605, AP1606