AP150N03Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP150N03Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP150N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP150N03Q даташит

 ..1. Size:534K  allpower
 ap150n03q.pdf pdf_icon

AP150N03Q

 6.1. Size:588K  allpower
 ap150n03g.pdf pdf_icon

AP150N03Q

 6.2. Size:838K  cn apm
 ap150n03d.pdf pdf_icon

AP150N03Q

AP150N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

 6.3. Size:910K  cn apm
 ap150n03p ap150n03t.pdf pdf_icon

AP150N03Q

AP150N03PIT 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP0903GD, AP1002, AP120N03, AP120N04K, AP12N10S, AP1310, AP1310K, AP150N03G, RFP50N06, AP15N10K, AP1605, AP1606, AP180N03G, AP18P30Q, AP2003, AP200N04, AP200N04D