AP2012S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2012S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2012S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2012S даташит

 ..1. Size:581K  allpower
 ap2012s.pdf pdf_icon

AP2012S

 8.1. Size:1661K  allpower
 ap2012.pdf pdf_icon

AP2012S

Другие IGBT... AP1605, AP1606, AP180N03G, AP18P30Q, AP2003, AP200N04, AP200N04D, AP2012, 8N60, AP2022S, AP2035G, AP2035Q, AP2045KD, AP2055K, AP2080KA, AP2080Q, AP20N06T