AP2317SD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2317SD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2317SD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2317SD даташит

 ..1. Size:738K  allpower
 ap2317sd.pdf pdf_icon

AP2317SD

 8.1. Size:93K  ape
 ap2317gn-hf.pdf pdf_icon

AP2317SD

AP2317GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m D Surface Mount Device ID - 4.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resist

 8.2. Size:2140K  allpower
 ap2317qd.pdf pdf_icon

AP2317SD

 8.3. Size:2119K  allpower
 ap2317a.pdf pdf_icon

AP2317SD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20N06T, AP20N100Q, AP20P30S, AP2301B, AP2310, AP2316, AP2317A, AP2317QD, EMB04N03H, AP2318A, AP2335, AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD