AP25N06Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25N06Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP25N06Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25N06Q даташит

 ..1. Size:725K  allpower
 ap25n06q.pdf pdf_icon

AP25N06Q

 7.1. Size:1968K  allpower
 ap25n06k.pdf pdf_icon

AP25N06Q

 8.1. Size:1696K  cn apm
 ap25n04s.pdf pdf_icon

AP25N06Q

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS D R

 8.2. Size:1494K  cn apm
 ap25n04d.pdf pdf_icon

AP25N06Q

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2310, AP2316, AP2317A, AP2317QD, AP2317SD, AP2318A, AP2335, AP25N06K, AO4407A, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD