AP25N06Q - аналоги и даташиты транзистора

 

AP25N06Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP25N06Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3

 Аналог (замена) для AP25N06Q

 

AP25N06Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  allpower
 ap25n06q.pdf pdf_icon

AP25N06Q

 7.1. Size:1968K  allpower
 ap25n06k.pdf pdf_icon

AP25N06Q

 8.1. Size:1696K  cn apm
 ap25n04s.pdf pdf_icon

AP25N06Q

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS DR

 8.2. Size:1494K  cn apm
 ap25n04d.pdf pdf_icon

AP25N06Q

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2310 , AP2316 , AP2317A , AP2317QD , AP2317SD , AP2318A , AP2335 , AP25N06K , AO4407A , AP25P06K , AP25P06Q , AP25P30Q , AP2714QD , AP2714SD , , , .

History: AP25N06K | AP2714QD | AP25P06Q

 

 
Back to Top

 


 
.