AP25P30Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP25P30Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP25P30Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP25P30Q даташит

 ..1. Size:1749K  allpower
 ap25p30q.pdf pdf_icon

AP25P30Q

 9.1. Size:96K  ape
 ap25p15gi.pdf pdf_icon

AP25P30Q

AP25P15GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -140V Simple Drive Requirement RDS(ON) 95m Fast Switching Characteristic ID -23A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 9.2. Size:93K  ape
 ap25p15gs-hf.pdf pdf_icon

AP25P30Q

AP25P15GS-HF RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -140V Simple Drive Requirement RDS(ON) 95m Fast Switching Characteristic ID -23A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 9.3. Size:675K  allpower
 ap25p06q.pdf pdf_icon

AP25P30Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2317QD, AP2317SD, AP2318A, AP2335, AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AO4468, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003