AP3002S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3002S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3002S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3002S даташит

 ..1. Size:621K  allpower
 ap3002s.pdf pdf_icon

AP3002S

 9.1. Size:1130K  allpower
 ap3003.pdf pdf_icon

AP3002S

 9.2. Size:574K  allpower
 ap3004s.pdf pdf_icon

AP3002S

 9.3. Size:1518K  cn apm
 ap300n04tlg5.pdf pdf_icon

AP3002S

AP300N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP300N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =300A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, IRF540N, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G