AP30H60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30H60K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30H60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H60K даташит

 ..1. Size:662K  allpower
 ap30h60k.pdf pdf_icon

AP30H60K

 9.1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H60K

 9.2. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H60K

 9.3. Size:579K  1
 ap30h50q.pdf pdf_icon

AP30H60K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, IRF640N, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, AP3134N5