AP30N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30N03K

Маркировка: 30N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP30N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30N03K даташит

 ..1. Size:1972K  allpower
 ap30n03k.pdf pdf_icon

AP30N03K

 7.1. Size:1290K  cn apm
 ap30n03df.pdf pdf_icon

AP30N03K

AP30N03DF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =30 A DS D R

 8.1. Size:808K  allpower
 ap30n04k.pdf pdf_icon

AP30N03K

 8.2. Size:1427K  cn apm
 ap30n06df.pdf pdf_icon

AP30N03K

AP30N06DF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AO3400, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, AP3134N5, AP3139, AP3205