AP30N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30N04K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30N04K даташит

 ..1. Size:808K  allpower
 ap30n04k.pdf pdf_icon

AP30N04K

 8.1. Size:1972K  allpower
 ap30n03k.pdf pdf_icon

AP30N04K

 8.2. Size:1427K  cn apm
 ap30n06df.pdf pdf_icon

AP30N04K

AP30N06DF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =30A DS D R

 8.3. Size:1476K  cn apm
 ap30n06y.pdf pdf_icon

AP30N04K

AP30N06Y 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30N06Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, IRFB4227, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, AP3134N5, AP3139, AP3205, AP3404