AP30P06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30P06K

Маркировка: 30P06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP30P06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P06K даташит

 ..1. Size:680K  allpower
 ap30p06k.pdf pdf_icon

AP30P06K

 7.1. Size:592K  allpower
 ap30p06.pdf pdf_icon

AP30P06K

 7.2. Size:1655K  cn apm
 ap30p06d.pdf pdf_icon

AP30P06K

AP30P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-30A DS D R

 8.1. Size:1462K  cn apm
 ap30p03df.pdf pdf_icon

AP30P06K

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, 10N60, AP3100A, AP3101A, AP3134N5, AP3139, AP3205, AP3404, AP3404S, AP3415E