AP3N50F - описание и поиск аналогов

 

AP3N50F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP3N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N50F технические параметры

 ..1. Size:781K  allpower
 ap3n50f.pdf pdf_icon

AP3N50F

 8.1. Size:834K  allpower
 ap3n50k.pdf pdf_icon

AP3N50F

 8.2. Size:1441K  cn apm
 ap3n50d.pdf pdf_icon

AP3N50F

AP3N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

Другие MOSFET... AP3101A , AP3134N5 , AP3139 , AP3205 , AP3404 , AP3404S , AP3415E , AP3912GD , AON7408 , AP3N50K , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.