AP4688S datasheet, подбор замены

AP4688S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4688S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13(11) nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3(4) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80(85) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.065) Ohm

Тип корпуса: SOP8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам