AP4688S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP4688S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(6) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3(4) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80(85) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.065) Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP4688S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4688S даташит
Другие IGBT... AP3N50K, AP4407, AP4407C, AP4409S, AP4410, AP4435C, AP4580, AP4606, IRFP260, AP4008SD, AP4013S, AP40N06K, AP40N100K, AP40N100LK, AP40P04G, AP40P04K, AP40P04Q
History: AP30P06K | AP30H220G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485

