AP40P04Q - описание и поиск аналогов

 

AP40P04Q - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40P04Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3
 

 Аналог (замена) для AP40P04Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40P04Q технические параметры

 ..1. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.2. Size:670K  allpower
 ap40p04k.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.3. Size:1350K  cn apm
 ap40p04df.pdf pdf_icon

AP40P04Q

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4688S , AP4008SD , AP4013S , AP40N06K , AP40N100K , AP40N100LK , AP40P04G , AP40P04K , 5N65 , AP40P05 , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.