AP40P04Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP40P04Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP40P04Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40P04Q даташит

 ..1. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.2. Size:670K  allpower
 ap40p04k.pdf pdf_icon

AP40P04Q

 7.3. Size:1350K  cn apm
 ap40p04df.pdf pdf_icon

AP40P04Q

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4688S, AP4008SD, AP4013S, AP40N06K, AP40N100K, AP40N100LK, AP40P04G, AP40P04K, 5N65, AP40P05, AP4812, AP4812S, AP4813K, AP4846, AP4847, AP4946S, AP5040QD