AP6007S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6007S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP6007S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6007S даташит

 ..1. Size:562K  allpower
 ap6007s.pdf pdf_icon

AP6007S

 9.1. Size:1816K  allpower
 ap6009s.pdf pdf_icon

AP6007S

Другие IGBT... AP50N06K, AP50P06K, AP50P20K, AP50P20Q, AP5N10M, AP5N10S, AP5N20K, AP5N50K, AO3407, AP6009S, AP60N04Q, AP60P20K, AP6242, AP6800, AP6802, AP6900, AP70N100K