Справочник MOSFET. ZXMN7A11K

 

ZXMN7A11K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMN7A11K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A
   Общий заряд затвора (Qg): 4.35 nC
   Выходная емкость (Cd): 298 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для ZXMN7A11K

 

 

ZXMN7A11K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  diodes
 zxmn7a11k.pdf

ZXMN7A11K ZXMN7A11K

ZXMN7A11K70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fa

 0.1. Size:520K  zetex
 zxmn7a11ktc.pdf

ZXMN7A11K ZXMN7A11K

ZXMN7A11K70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fa

 6.1. Size:417K  diodes
 zxmn7a11g.pdf

ZXMN7A11K ZXMN7A11K

ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fast

 6.2. Size:415K  zetex
 zxmn7a11gta.pdf

ZXMN7A11K ZXMN7A11K

ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fast

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top